Analysis of Strain in Semiconductor Nano Scale Films
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
the analysis of the role of the speech acts theory in translating and dubbing hollywood films
از محوری ترین اثراتی که یک فیلم سینمایی ایجاد می کند دیالوگ هایی است که هنرپیش گان فیلم میگویند. به زعم یک فیلم ساز, یک شیوه متأثر نمودن مخاطب از اثر منظوره نیروی گفتارهای گوینده, مثل نیروی عاطفی, ترس آور, غم انگیز, هیجان انگیز و غیره, است. این مطالعه به بررسی این مسأله مبادرت کرده است که آیا نیروی فراگفتاری هنرپیش گان به مثابه ی اعمال گفتاری در پنج فیلم هالیوودی در نسخه های دوبله شده باز تولید...
15 صفحه اولanalysis of power in the network society
اندیشمندان و صاحب نظران علوم اجتماعی بر این باورند که مرحله تازه ای در تاریخ جوامع بشری اغاز شده است. ویژگیهای این جامعه نو را می توان پدیده هایی از جمله اقتصاد اطلاعاتی جهانی ، هندسه متغیر شبکه ای، فرهنگ مجاز واقعی ، توسعه حیرت انگیز فناوری های دیجیتال، خدمات پیوسته و نیز فشردگی زمان و مکان برشمرد. از سوی دیگر قدرت به عنوان موضوع اصلی علم سیاست جایگاه مهمی در روابط انسانی دارد، قدرت و بازتولید...
15 صفحه اولStrain gradient torsional vibration analysis of micro/nano rods
Fabrication, characterization and application of micro-/nano-rods/wires are among the hottest topics in materials science and applied physics. Micro-/nano-rod-based structures and devices are developed for a wide-ranging use in various fields of micro-/nanoscience (e.g. biology, electronics, medicine, optics, optoelectronics, photonics and sensors). It is well known that the structure and prope...
متن کاملStrain gradient torsional vibration analysis of micro/nano rods
Fabrication, characterization and application of micro-/nano-rods/wires are among the hottest topics in materials science and applied physics. Micro-/nano-rod-based structures and devices are developed for a wide-ranging use in various fields of micro-/nanoscience (e.g. biology, electronics, medicine, optics, optoelectronics, photonics and sensors). It is well known that the structure and prope...
متن کاملCurrent Transport Models for Nano-Scale Semiconductor Devices
An overview of models for the simulation of current transport in microand nanoelectronic devices within the framework of TCAD applications is presented. Starting from macroscopic transport models, currently discussed enhancements are specifically addressed. This comprises the inclusion of higher-order moments into the transport models, the incorporation of quantum correction and tunneling model...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of the Vacuum Society of Japan
سال: 2008
ISSN: 1882-4749,1882-2398
DOI: 10.3131/jvsj2.51.298